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US6M11
Data Sheet
10
1
V GS =0V
Pulsed
600
500
400
I D = -0.6A
Ta=25°C
Pulsed
1000
100
t f
t d (off)
Ta=25°C
V DD = -6V
V GS = -4.5V
R G =10 ?
Pulsed
Ta=125°C
300
I D = -1.3A
0.1
Ta=75°C
Ta=25°C
200
10
Ta=-25°C
100
t r
t d (on)
0.01
0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
5
4
3
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
1000
100
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Ciss
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.12 Switching Characteristics
2
Ta=25°C
V DD = -6V
10
Coss
1
0
I D = -1.3A
R G =10 ?
Pulsed
1
Crss
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.01
0.1
1
10
100
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
6/7
2009.07 - Rev.A
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